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A2T21S161W12SR3

A2T21S161W12SR3

僅供參考

型號 A2T21S161W12SR3
PNEDA編號 A2T21S161W12SR3
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2T21S161W12SR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2T21S161W12SR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF

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A2T21S161W12SR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.2GHz
增益-
電壓-測試-
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試-
功率-輸出38W
電壓-額定28V
包裝/箱NI-780-2S2L
供應商設備包裝NI-780-2S2L

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-

噪聲系數

-

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20W

電壓-額定

68V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

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系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

1.81GHz ~ 1.88GHz

增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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Infineon Technologies

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

65V

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供應商設備包裝

H-34288G-4/2

制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.12GHz

增益

15.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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Ampleon USA Inc.

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

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增益

27dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

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電壓-額定

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