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A2T26H165-24SR3

A2T26H165-24SR3

僅供參考

型號 A2T26H165-24SR3
PNEDA編號 A2T26H165-24SR3
描述 IC TRANS RF LDMOS
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2T26H165-24SR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2T26H165-24SR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2T26H165-24SR3, A2T26H165-24SR3數據表 (總頁數: 16, 大小: 421.73 KB)
PDFA2T26H165-24SR3數據表 封面
A2T26H165-24SR3數據表 頁面 2 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 3 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 4 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 5 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 6 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 7 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 8 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 9 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 10 A2T26H165-24SR3數據表 頁面 11

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A2T26H165-24SR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.5GHz
增益14.7dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試400mA
功率-輸出32W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S-4L2L
供應商設備包裝NI-780S-4L2L

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增益

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電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

550mA

功率-輸出

18W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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頻率

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

50W

電壓-額定

105V

包裝/箱

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供應商設備包裝

H-36265-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

22.7dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

350mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

21dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

20µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

140W

電壓-額定

115V

包裝/箱

NI-1230-4S

供應商設備包裝

NI-1230-4S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.3GHz

增益

22.7dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

250W

電壓-額定

120V

包裝/箱

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