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AFT09S200W02GNR3

AFT09S200W02GNR3

僅供參考

型號 AFT09S200W02GNR3
PNEDA編號 AFT09S200W02GNR3
描述 FET RF 70V 960MHZ PLD
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AFT09S200W02GNR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AFT09S200W02GNR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
AFT09S200W02GNR3, AFT09S200W02GNR3數據表 (總頁數: 19, 大小: 856.97 KB)
PDFAFT09S200W02NR3數據表 封面
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AFT09S200W02GNR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率960MHz
增益19.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出56W
電壓-額定70V
包裝/箱OM-780-2G
供應商設備包裝OM-780-2 Gull

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10mA

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

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制造商

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系列

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頻率

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增益

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LDMOS (Dual)

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50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

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電壓-額定

112V

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

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電壓-額定

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