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AFT18P350-4S2LR6

AFT18P350-4S2LR6

僅供參考

型號 AFT18P350-4S2LR6
PNEDA編號 AFT18P350-4S2LR6
描述 FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
制造商 NXP
單價
1 ---------- $1,040.4207
50 ---------- $991.6510
100 ---------- $942.8813
200 ---------- $894.1116
400 ---------- $853.4701
500 ---------- $812.8287
庫存 6
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AFT18P350-4S2LR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AFT18P350-4S2LR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
AFT18P350-4S2LR6, AFT18P350-4S2LR6數據表 (總頁數: 13, 大小: 494.07 KB)
PDFAFT18P350-4S2LR6數據表 封面
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AFT18P350-4S2LR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.81GHz
增益16.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1A
功率-輸出63W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-1230-4LS2L
供應商設備包裝NI-1230-4LS2L

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

2W

電壓-額定

25V

包裝/箱

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

2A

功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

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50W

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頻率

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增益

20dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

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104V

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頻率

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增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

18mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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電壓-額定

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