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AIDW10S65C5XKSA1

AIDW10S65C5XKSA1

僅供參考

型號 AIDW10S65C5XKSA1
PNEDA編號 AIDW10S65C5XKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AIDW10S65C5XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AIDW10S65C5XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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AIDW10S65C5XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)10A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr60µA @ 650V
電容@ Vr,F303pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3-41
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 30V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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