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AIHD06N60RFATMA1

AIHD06N60RFATMA1

僅供參考

型號 AIHD06N60RFATMA1
PNEDA編號 AIHD06N60RFATMA1
描述 IC DISCRETE 600V TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AIHD06N60RFATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AIHD06N60RFATMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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AIHD06N60RFATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電流-集電極脈沖(Icm)18A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 6A
功率-最大100W
開關能量90µJ (on), 90µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用48nC
25°C時的Td(開/關)8ns/105ns
測試條件400V, 6A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝PG-TO252-3-313

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

430µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

135ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

8V @ 4.5V, 130A

功率-最大

45W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 10A

功率-最大

163W

開關能量

260µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17.4nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/72ns

測試條件

400V, 10A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

105ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 32A

功率-最大

160W

開關能量

2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

89nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/260ns

測試條件

720V, 32A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

190ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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