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ALD110908PAL

ALD110908PAL

僅供參考

型號 ALD110908PAL
PNEDA編號 ALD110908PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD110908PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD110908PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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ALD110908PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12mA, 3mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 4.8V
Vgs(th)(最大)@ ID820mV @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.4mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

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4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 20V

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13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

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