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ALD111933SAL

ALD111933SAL

僅供參考

型號 ALD111933SAL
PNEDA編號 ALD111933SAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 9,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD111933SAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD111933SAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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ALD111933SAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 5.9V
Vgs(th)(最大)@ ID3.35V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 8A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

564pF @ 15V

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