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ALD210802SCL

ALD210802SCL

僅供參考

型號 ALD210802SCL
PNEDA編號 ALD210802SCL
描述 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD210802SCL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD210802SCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD210802SCL, ALD210802SCL數據表 (總頁數: 12, 大小: 107.89 KB)
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ALD210802SCL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
FET類型4 N-Channel, Matched Pair
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID20mV @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2390pF @ 20V

功率-最大

3.25W

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