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ALD212902PAL

ALD212902PAL

僅供參考

型號 ALD212902PAL
PNEDA編號 ALD212902PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD212902PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD212902PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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ALD212902PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID20mV @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

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