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AO4435L

AO4435L

僅供參考

型號 AO4435L
PNEDA編號 AO4435L
描述 MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 115,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AO4435L資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AO4435L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AO4435L, AO4435L數據表 (總頁數: 5, 大小: 190.81 KB)
PDFAO4435L_102數據表 封面
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AO4435L規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.2A (Ta), 67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 56µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1131pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.95mOhm @ 148A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

195W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.9A (Ta), 38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

913pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta), 20.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

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