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AON7532E

AON7532E

僅供參考

型號 AON7532E
PNEDA編號 AON7532E
描述 MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AON7532E資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AON7532E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AON7532E, AON7532E數據表 (總頁數: 6, 大小: 264.6 KB)
PDFAON7532E數據表 封面
AON7532E數據表 頁面 2 AON7532E數據表 頁面 3 AON7532E數據表 頁面 4 AON7532E數據表 頁面 5 AON7532E數據表 頁面 6

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AON7532E規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列AlphaMOS
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30.5A (Ta), 28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1950pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-DFN (2.9x2.3)
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5065pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 650mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

183nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5590pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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