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AOT11C60L

AOT11C60L

僅供參考

型號 AOT11C60L
PNEDA編號 AOT11C60L
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO220
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOT11C60L資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOT11C60L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOT11C60L, AOT11C60L數據表 (總頁數: 6, 大小: 470.47 KB)
PDFAOB11C60數據表 封面
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AOT11C60L規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)278W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

168nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10918pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

263W (Tc)

工作溫度

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta), 400mW (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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