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AOW12N50

AOW12N50

僅供參考

型號 AOW12N50
PNEDA編號 AOW12N50
描述 MOSFET N-CH 500V 12A TO262
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOW12N50資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOW12N50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOW12N50, AOW12N50數據表 (總頁數: 6, 大小: 284.31 KB)
PDFAOW12N50數據表 封面
AOW12N50數據表 頁面 2 AOW12N50數據表 頁面 3 AOW12N50數據表 頁面 4 AOW12N50數據表 頁面 5 AOW12N50數據表 頁面 6

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AOW12N50規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs520mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs37nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1633pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3P

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

AOT8N65_001

Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 4A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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