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APT100M50J

APT100M50J

僅供參考

型號 APT100M50J
PNEDA編號 APT100M50J
描述 MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 5 - 一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT100M50J資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT100M50J
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT100M50J規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)103A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs620nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds24600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1590pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3065pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

666pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

300mW (Ta)

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