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APT11F80S

APT11F80S

僅供參考

型號 APT11F80S
PNEDA編號 APT11F80S
描述 MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT11F80S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT11F80S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT11F80S規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2471pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)337W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D3Pak
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

76nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5490pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

177nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

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Vgs(最大)

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