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APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

僅供參考

型號 APT13GP120BDQ1G
PNEDA編號 APT13GP120BDQ1G
描述 IGBT 1200V 41A 250W TO247
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $69.0912
50 ---------- $65.8525
100 ---------- $62.6139
200 ---------- $59.3753
400 ---------- $56.6764
500 ---------- $53.9775
庫存 7,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT13GP120BDQ1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT13GP120BDQ1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT13GP120BDQ1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)41A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 13A
功率-最大250W
開關能量115µJ (on), 165µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用55nC
25°C時的Td(開/關)9ns/28ns
測試條件600V, 13A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

144A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

600µJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/155ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.58V @ 15V, 12A

功率-最大

48W

開關能量

31µJ (on), 183µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

41ns/100ns

測試條件

400V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

56ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

350W

開關能量

4.1mJ (on), 1.25mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

157nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/270ns

測試條件

850V, 32A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

150ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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