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APT15GN120KG

APT15GN120KG

僅供參考

型號 APT15GN120KG
PNEDA編號 APT15GN120KG
描述 IGBT 1200V 45A 195W TO220
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT15GN120KG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT15GN120KG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
APT15GN120KG, APT15GN120KG數據表 (總頁數: 6, 大小: 192.83 KB)
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APT15GN120KG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 15A
功率-最大195W
開關能量410µJ (on), 950µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用90nC
25°C時的Td(開/關)10ns/150ns
測試條件800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220 [K]

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Through Hole

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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370nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

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65ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

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64A

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門禁費用

89nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/260ns

測試條件

720V, 32A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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