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APT15GP60KG

APT15GP60KG

僅供參考

型號 APT15GP60KG
PNEDA編號 APT15GP60KG
描述 IGBT 600V 56A 250W TO220
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT15GP60KG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT15GP60KG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
APT15GP60KG, APT15GP60KG數據表 (總頁數: 6, 大小: 201.61 KB)
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APT15GP60KG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)56A
電流-集電極脈沖(Icm)65A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 15A
功率-最大250W
開關能量130µJ (on), 121µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用55nC
25°C時的Td(開/關)8ns/29ns
測試條件400V, 15A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220 [K]

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

833W

開關能量

8045µJ (on), 7640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/620ns

測試條件

800V, 75A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

76A

電流-集電極脈沖(Icm)

152A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 41A

功率-最大

200W

開關能量

8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/600ns

測試條件

480V, 41A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 7A

功率-最大

55W

開關能量

3.2µJ (on), 15mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

29nC

25°C時的Td(開/關)

570ns/-

測試條件

960V, 7A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 15A

功率-最大

198W

開關能量

1.9mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/580ns

測試條件

800V, 15A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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