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APT20GF120BRDQ1G

APT20GF120BRDQ1G

僅供參考

型號 APT20GF120BRDQ1G
PNEDA編號 APT20GF120BRDQ1G
描述 IGBT 1200V 36A 200W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT20GF120BRDQ1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT20GF120BRDQ1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT20GF120BRDQ1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)36A
電流-集電極脈沖(Icm)64A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 15A
功率-最大200W
開關能量895µJ (on), 840µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用100nC
25°C時的Td(開/關)10ns/120ns
測試條件800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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門禁費用

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測試條件

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電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

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門禁費用

49nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

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輸入類型

Standard

門禁費用

76nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/234ns

測試條件

400V, 15A, 21Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

279ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

47nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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