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APT25GP120BG

APT25GP120BG

僅供參考

型號 APT25GP120BG
PNEDA編號 APT25GP120BG
描述 IGBT 1200V 69A 417W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GP120BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GP120BG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT25GP120BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)69A
電流-集電極脈沖(Icm)90A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 25A
功率-最大417W
開關能量500µJ (on), 438µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)12ns/70ns
測試條件600V, 25A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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制造商

Renesas Electronics America

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 37A

功率-最大

45W

開關能量

650µJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.8A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

25W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 15A

功率-最大

42W

開關能量

370µJ (on), 67µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

43nC

25°C時的Td(開/關)

9.3ns/54.8ns

測試條件

400V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

82.4ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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