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APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

僅供參考

型號 APT26M100JCU2
PNEDA編號 APT26M100JCU2
描述 MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT26M100JCU2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT26M100JCU2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT26M100JCU2規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs396mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs305nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7868pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)543W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 115mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

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