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APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

僅供參考

型號 APT30DQ100KG
PNEDA編號 APT30DQ100KG
描述 DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30DQ100KG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30DQ100KG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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APT30DQ100KG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)295ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220 [K]
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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