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APT30F50B

APT30F50B

僅供參考

型號 APT30F50B
PNEDA編號 APT30F50B
描述 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30F50B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30F50B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT30F50B規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs115nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4525pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)415W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 [B]
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

582pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 270mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 2.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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