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APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

僅供參考

型號 APT30GT60BRDQ2G
PNEDA編號 APT30GT60BRDQ2G
描述 IGBT 600V 64A 250W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,648
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30GT60BRDQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30GT60BRDQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT30GT60BRDQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)64A
電流-集電極脈沖(Icm)110A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 30A
功率-最大250W
開關能量80µJ (on), 605µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用7.5nC
25°C時的Td(開/關)12ns/225ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)22ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 36A

功率-最大

300W

開關能量

950µJ (on), 840µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

113nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/270ns

測試條件

400V, 36A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 35A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/180ns

測試條件

960V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/86ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

716µJ (on), 208µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/102ns

測試條件

400V, 30A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

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