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APT30N60SC6

APT30N60SC6

僅供參考

型號 APT30N60SC6
PNEDA編號 APT30N60SC6
描述 MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30N60SC6資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30N60SC6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT30N60SC6規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 960µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs88nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2267pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)219W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D3Pak
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 28A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 1000V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1530pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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