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APT30SCD65B

APT30SCD65B

僅供參考

型號 APT30SCD65B
PNEDA編號 APT30SCD65B
描述 DIODE SIC 650V 46A TO247
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $91.7226
50 ---------- $87.4231
100 ---------- $83.1236
200 ---------- $78.8241
400 ---------- $75.2412
500 ---------- $71.6583
庫存 448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30SCD65B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30SCD65B
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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APT30SCD65B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)46A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 30A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr600µA @ 650V
電容@ Vr,F945pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 25V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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