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APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

僅供參考

型號 APT33GF120LRDQ2G
PNEDA編號 APT33GF120LRDQ2G
描述 IGBT 1200V 64A 357W TO264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT33GF120LRDQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT33GF120LRDQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT33GF120LRDQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)64A
電流-集電極脈沖(Icm)75A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 25A
功率-最大357W
開關能量1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用170nC
25°C時的Td(開/關)14ns/185ns
測試條件800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264 [L]

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600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/86ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 14A

功率-最大

200W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/166ns

測試條件

960V, 14A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.4µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

400W

開關能量

550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/190ns

測試條件

480V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

56W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

40nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/73ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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