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APT40GP60JDQ2

APT40GP60JDQ2

僅供參考

型號 APT40GP60JDQ2
PNEDA編號 APT40GP60JDQ2
描述 IGBT 600V 86A 284W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT40GP60JDQ2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT40GP60JDQ2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT40GP60JDQ2規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)86A
功率-最大284W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 40A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.61nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝ISOTOP®

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

833W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 180A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

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