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APT40M75JN

APT40M75JN

僅供參考

型號 APT40M75JN
PNEDA編號 APT40M75JN
描述 MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT40M75JN資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT40M75JN
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
APT40M75JN, APT40M75JN數據表 (總頁數: 4, 大小: 62.4 KB)
PDFAPT40M75JN數據表 封面
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APT40M75JN規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS IV®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)56A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs370nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 12.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

127nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2780pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

990mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 250mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

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