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APT40SM120B

APT40SM120B

僅供參考

型號 APT40SM120B
PNEDA編號 APT40SM120B
描述 MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT40SM120B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT40SM120B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT40SM120B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)41A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA (Typ)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 20V
Vgs(最大)+25V, -10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2560pF @ 1000V
FET功能-
功耗(最大值)273W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5836pF @ 25V

FET功能

Temperature Sensing Diode

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.2pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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