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APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

僅供參考

型號 APT45GP120JDQ2
PNEDA編號 APT45GP120JDQ2
描述 IGBT 1200V 75A 329W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT45GP120JDQ2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT45GP120JDQ2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT45GP120JDQ2規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大329W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 45A
當前-集電極截止(最大值)750µA
輸入電容(Cies)@ Vce4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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3.1V @ 15V, 1200A

當前-集電極截止(最大值)

120mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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Standard

NTC熱敏電阻

No

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 10V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

150nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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