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APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

僅供參考

型號 APT47N65BC3G
PNEDA編號 APT47N65BC3G
描述 MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT47N65BC3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT47N65BC3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT47N65BC3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)47A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2.7mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7015pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)417W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 [B]
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

730mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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