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APT50GP60BG

APT50GP60BG

僅供參考

型號 APT50GP60BG
PNEDA編號 APT50GP60BG
描述 IGBT 600V 100A 625W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GP60BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GP60BG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GP60BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電流-集電極脈沖(Icm)190A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 50A
功率-最大625W
開關能量465µJ (on), 637µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用165nC
25°C時的Td(開/關)19ns/83ns
測試條件400V, 50A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

75W

開關能量

236µJ (on), 290µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/118ns

測試條件

800V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

51ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D²PAK

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 40A

功率-最大

148W

開關能量

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

53ns/227ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

555W

開關能量

2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/475ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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50A

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