APT50GP60J
僅供參考
| 型號 | APT50GP60J |
| PNEDA編號 | APT50GP60J |
| 描述 | IGBT 600V 100A 329W SOT227 |
| 制造商 | Microsemi |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,218 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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APT50GP60J資源
| 品牌 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | APT50GP60J |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-模塊 |
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APT50GP60J規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT類型 | PT |
| 配置 | Single |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 600V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100A |
| 功率-最大 | 329W |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| 當前-集電極截止（最大值） | 500µA |
| 輸入電容（Cies）@ Vce | 5.7nF @ 25V |
| 輸入 | Standard |
| NTC熱敏電阻 | No |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供應商設備包裝 | ISOTOP® |
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