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APT60D100BG

APT60D100BG

僅供參考

型號 APT60D100BG
PNEDA編號 APT60D100BG
描述 DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT60D100BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT60D100BG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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APT60D100BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.5V @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)280ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247 [B]
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

9.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 9.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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