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APT60M75JVR

APT60M75JVR

僅供參考

型號 APT60M75JVR
PNEDA編號 APT60M75JVR
描述 MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT60M75JVR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT60M75JVR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT60M75JVR規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS V®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)62A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1050nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds19800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 13.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

240mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

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