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APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

僅供參考

型號 APT64GA90LD30
PNEDA編號 APT64GA90LD30
描述 IGBT 900V 117A 500W TO-264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT64GA90LD30資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT64GA90LD30
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT64GA90LD30規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)117A
電流-集電極脈沖(Icm)193A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.1V @ 15V, 38A
功率-最大500W
開關能量1192µJ (on), 1088µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用162nC
25°C時的Td(開/關)18ns/131ns
測試條件600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264 [L]

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

38W

開關能量

310µJ (on), 3.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

76ns/815ns

測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D2PAK

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

290A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

500W

開關能量

3.7mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

118nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/84ns

測試條件

400V, 75A, 4Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

147ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

290W

開關能量

1.23mJ (on), 380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

121nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/138ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

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