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APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

僅供參考

型號 APT65GP60L2DQ2G
PNEDA編號 APT65GP60L2DQ2G
描述 IGBT 600V 198A 833W TO264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT65GP60L2DQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT65GP60L2DQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT65GP60L2DQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)198A
電流-集電極脈沖(Icm)250A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 65A
功率-最大833W
開關能量605µJ (on), 895µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用210nC
25°C時的Td(開/關)30ns/90ns
測試條件400V, 65A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝-

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 6A

功率-最大

28W

開關能量

200µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

42nC

25°C時的Td(開/關)

9.4ns/130ns

測試條件

400V, 6A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

64A

電流-集電極脈沖(Icm)

110A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

525µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/225ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

電流-集電極脈沖(Icm)

630A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 110A

功率-最大

880W

開關能量

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

183nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/156ns

測試條件

400V, 55A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

125W

開關能量

55µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/100ns

測試條件

390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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