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APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

僅供參考

型號 APT95GR65JDU60
PNEDA編號 APT95GR65JDU60
描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT95GR65JDU60資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT95GR65JDU60
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT95GR65JDU60規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)135A
電流-集電極脈沖(Icm)380A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 95A
功率-最大446W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用420nC
25°C時的Td(開/關)29ns/226ns
測試條件433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227

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電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 42A

功率-最大

223W

開關能量

120µJ (on), 150µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

76nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/113ns

測試條件

200V, 21A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

320µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/110ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

電流-集電極脈沖(Icm)

10A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 5A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

960V, 5A, 27Ohm, 10V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

250µJ (on), 640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

43ns/240ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

21A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

13.6nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/76ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

21ns

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