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APTC60DDAM45CT1G

APTC60DDAM45CT1G

僅供參考

型號 APTC60DDAM45CT1G
PNEDA編號 APTC60DDAM45CT1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60DDAM45CT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60DDAM45CT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60DDAM45CT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)49A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

467pF @ 10V

功率-最大

700mW

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

功率-最大

300W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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