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APTC60SKM24T1G

APTC60SKM24T1G

僅供參考

型號 APTC60SKM24T1G
PNEDA編號 APTC60SKM24T1G
描述 MOSFET N-CH 600V 95A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60SKM24T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60SKM24T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTC60SKM24T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)95A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs300nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)462W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP1
包裝/箱SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta), 2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

425pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

320mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.8nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

2.15W (Ta)

工作溫度

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