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APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

僅供參考

型號 APTC90DAM60CT1G
PNEDA編號 APTC90DAM60CT1G
描述 MOSFET N-CH 900V 59A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC90DAM60CT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC90DAM60CT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTC90DAM60CT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)59A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs540nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13600pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)462W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP1
包裝/箱SP1

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Ta), 270A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerFlat™ (5x6)

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 100µA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 56µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

76pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

197nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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