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APTGF530U120D4G

APTGF530U120D4G

僅供參考

型號 APTGF530U120D4G
PNEDA編號 APTGF530U120D4G
描述 IGBT 1200V 700A 3900W D4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF530U120D4G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF530U120D4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGF530U120D4G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)700A
功率-最大3900W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce37nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D4
供應商設備包裝D4

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功率-最大

357W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

功率-最大

145W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

200W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

277W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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