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APTGF75SK60D1G

APTGF75SK60D1G

僅供參考

型號 APTGF75SK60D1G
PNEDA編號 APTGF75SK60D1G
描述 IGBT 600V 100A 355W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF75SK60D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF75SK60D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF75SK60D1G, APTGF75SK60D1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 169.72 KB)
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APTGF75SK60D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大355W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

81W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

675pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

695W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E3

供應商設備包裝

E3

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制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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E2

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

230A

功率-最大

730W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

68nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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