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APTGT100A1202G

APTGT100A1202G

僅供參考

型號 APTGT100A1202G
PNEDA編號 APTGT100A1202G
描述 MOD IGBT 1200V 140A SP2
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT100A1202G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT100A1202G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT100A1202G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)140A
功率-最大480W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce7.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SP2
供應商設備包裝SP2

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

640A

功率-最大

2200W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

33nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Three Phase

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

135W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

F2 Module

供應商設備包裝

F2

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

580W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

6250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

1.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

52nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

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