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APTGT100DA170D1G

APTGT100DA170D1G

僅供參考

型號 APTGT100DA170D1G
PNEDA編號 APTGT100DA170D1G
描述 IGBT 1700V 200A 695W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT100DA170D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT100DA170D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT100DA170D1G, APTGT100DA170D1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 185.64 KB)
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APTGT100DA170D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大695W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce8.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1595W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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2.15V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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700A

功率-最大

1650W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

39nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1800A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 1800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

98.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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