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APTGT100DH60T3G

APTGT100DH60T3G

僅供參考

型號 APTGT100DH60T3G
PNEDA編號 APTGT100DH60T3G
描述 MOD IGBT 600V 150A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT100DH60T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT100DH60T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT100DH60T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大340W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce6.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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1200V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3.3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

17nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.66V @ 15V, 8.8A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.34nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1390A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 1000A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

81nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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