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APTGT100H120G

APTGT100H120G

僅供參考

型號 APTGT100H120G
PNEDA編號 APTGT100H120G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT100H120G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT100H120G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT100H120G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)140A
功率-最大480W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce7.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

790W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

175W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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