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APTGT150DU170G

APTGT150DU170G

僅供參考

型號 APTGT150DU170G
PNEDA編號 APTGT150DU170G
描述 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT150DU170G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT150DU170G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT150DU170G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)250A
功率-最大890W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)350µA
輸入電容(Cies)@ Vce13.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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62A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-25°C ~ 55°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FF600R06ME3BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

700A

功率-最大

1650W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

39nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

BSM30GD60DLCE3224

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制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

135W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT100A60T1G

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制造商

Microsemi Corporation

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

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